Bột silicon carbide cấp dưới micron có độ tinh khiết cao, hàm lượng nhôm thấp, hàm lượng sắt thấp, diện tích bề mặt riêng cao và hoạt động bề mặt cao, đảm bảo hình thành cấu trúc gốm mật độ cao trong quá trình thiêu kết không áp suất, cải thiện độ cứng, khả năng chống mài mòn và độ dẫn nhiệt. Đặc tính tạp chất thấp của nó làm giảm các khuyết tật thiêu kết và phù hợp để sản xuất các sản phẩm gốm hiệu suất cao trong các quy trình nhiệt độ cao, chẳng hạn như thiêu kết pin lithium và luyện kim bột, để cải thiện hiệu quả sản xuất và chất lượng sản phẩm.